صفحه محصول - پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) در 49 اسلاید

ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی جی تی (به انگلیسی: BJT) توعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) می باشد و چون در این قطعه اثر الکترون ها و حفره ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می شود و در مقابل ترانزیستورهای تک قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه ای، قرار می گیرد که تنها یک نوع حامل بار دارند.

عصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در 1948 توسط باردین، براتاین و شاکلی در آزمایشگاه های تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تاثیر شگفتی روی تقریباً تمام حوزه های زندگی نوین گذاشته است.

با توجه به نحوهٔ قرار گرفتن نیمه رساناهای مثبت و منفی در ترانزیستور، آن ها را به دو دستهٔ پی ان پی و ان پی ان تقسیم می کنند.

شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است، می باشد و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره ها با جهت جریان یکی است.

شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است، می باشد. پس از درک ایده های اساسی برای قطعه pnp می توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.

فهرست مطالب:

مقدمه

ساختار ترانزیستور BJT

طرز کار ترانزیستور NPN در ناحیه فعال

عبور جریان

جریان کلکتور

جریان بیس

جریان امیتر

مدل ترانزیستور در ناحیه فعال

علائم مداری

ولتاژ لازم برای بایاس ترانزیستور

مثال

نمایش گرافیکی مشخصه ترانزیستور

رابطه جریان و ولتاژ کلکتور

مدار معادل ترانزیستور در حالت امیتر مشترک

نواحی کاری ترانزیستور

ترانزیستور در ناحیه قطع

ترانزیستور در ناحیه اشباع

ترانزیستور به عنوان تقویت کننده

و...